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Bienvenue dans la collection HAL du groupe CS : Convertisseurs Statiques
Nos activités de recherche couvrent les problématiques principales de la conversion d’énergie électrique et reposent sur la combinaison d’approches théoriques et expérimentales autour de la notion de cellule de commutation.
Le groupe s’est spécialisé dans l’étude de nouvelles structures de convertisseurs multicellulaires de moyenne et de forte puissance (du kW au MW) mettant en jeu des agencements originaux des cellules de commutation imbriquées séries, superposées parallèles et la parallélisation globale ou partielle par des dispositifs innovants de couplages magnétiques.
Types de documents publiés
Sujets
CMOS
Driver circuits
Power integration
Harmonic interactions
Substations
Thyristor
Renewable energy
Device simulation
Voltage control
Bridge circuits
Switching convertors
Electrolyzer
Railways
Coupled inductors
2D physical simulation
Design
Protection
Gate-Driver
Fuel cell
Optimization
Capacitors
Gate-Damage
Skin effect
Short-Circuit
Zero voltage switching
Traction
Robustness
Hydrogen
DC-DC power convertors
Photovoltaic hybrid system
Switches
Reliability
Elemental semiconductors
Fault tolerance
Electric Discharge Power Supply
Short-circuit
Gate-Aging
Silicon Carbide SiC
Wide band gap semiconductors
Choppers circuits
Inverter
Power convertors
DBD
Power Converters
Detection
Ageing
SiC Mosfet
Insulated gate bipolar transistors
MOSFET circuits
Diamond
Medium voltage
Intercell transformers
Efficiency
Silicon
Decentralized control
Rail transportation power systems
Distributed control
SiC MOSFET
Court-circuit
InterCell Transformer ICT
MOSFET
DC-DC power converters
Excimer Lamp
Buck converter
Self-switching
Gate Driver
Optimisation
Multilevel converters
Modelling
Fuel cells
Wide bandgap semiconductors
Switching frequency
Power electronics
Power MOSFET
Railway electrification
Power conversion
Monolithic integration
Switching losses
Ultra Violet Generation UV
Dielectric Barrier Discharge
Gate driver
Silicon carbide
SiC MOSFETs
HEMT GaN
Electronique de puissance
Active Gate Driver
Static converter
Trapping
GaN
Busbars
Traction power supplies
Rail transportation
Silicon compounds
Interleaved converters
Power Converter Design
Power converter
IGBT
Multilevel converter
MOSFET SiC
Failure-Mode
Derniers dépôts
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Lucien Ghizzo, Gérald Guibaud, Christophe de Nardi, François Jamin, Vanessa Chazal, et al.. Localization and Physical Analysis of Defects in Degraded Power HEMT p-GaN Transistors Stressed with DC Voltage Surge and Voltage with Switching Stress. Journal of Failure Analysis and Prevention, 2024, 24 (5), pp.2221-2231. ⟨10.1007/s11668-024-02038-x⟩. ⟨hal-04752825⟩